模擬集（jí）成電路的分析與設計第四版

模擬集成電路的分析（xī）與設計第四版（bǎn）是全球著名（míng）電路（lù）設（shè）計電子書之（zhī）一，電路（lù）設計學習參考價值非常（cháng）大，第四（sì）版（bǎn）從的CMOS電路、單純的雙極電路（lù）、CMOS和雙極結合等係統介紹，電路知識一手掌握（wò），趕緊下載吧

模擬集成（chéng）電（diàn）路的分析與設計介紹

模擬集（jí）成（chéng）電（diàn）路的分析（xī）與設計（翻譯版）（第4版）

《模擬集（jí）成電（diàn）路的（de）分析與設計（翻（fān）譯版）（第4版）》介紹（shào）模擬集成電路的分析（xī）與設計（jì）。全麵（miàn）闡（chǎn）述了模擬集成（chéng）電（diàn）路的基本（běn）原（yuán）理和概（gài）念，同時還闡（chǎn）述了模擬集成電路的新技術和新《模擬集成電（diàn）路的分（fèn）析與設計（翻譯版）（第4版（bǎn））》共十二章。前七（qī）章介紹了集成電路放（fàng）大器件模型，雙極（jí）型、MOS和BICMOS集成電路技術，單（dān）級放大器與多級放大器，鏡像電流源、有源負（fù）載和基準源，輸（shū）出（chū）級（jí），單端輸出的運（yùn）算（suàn）放大器以及集（jí）成（chéng）電路的頻率呼應第八、九章介紹了反饋，反饋放大器的頻率呼應和穩定性，第十章至十二章介（jiè）紹了（le）非線性模擬電路，集成電路（lù）的（de）噪聲和全差（chà）分運（yùn）算廣大器。

《模（mó）擬集成電路的分（fèn）析與設計（jì）（翻譯版）（第（dì）4版）》是現（xiàn）代模擬集（jí）成電路分析與設計（jì）的（de）教材或參考書。既可以作為研究生或高年級本科生的（de）教（jiāo）科書，也可作應用工程的參考書，同時又是一（yī）本比較（jiào）全麵、係統的（de）模擬集成（chéng）電（diàn）路方麵的專著。

圖書目錄（lù）

第一章 集成電路（lù）放（fàng）大器件（jiàn）模（mó）型

1.1 引言

1.2 PN結的耗盡區

1.3 雙極型晶體管的大信號特性（xìng）

1.4 雙極（jí）型晶（jīng）體管的小信號模型（xíng）

1.5 金屬氧化（huà）物效晶體管的大信號（hào）特性（xìng）

1.6 MOS晶體管的小信號模型

1.7 MOS晶體（tǐ）管的短（duǎn）溝道效應（yīng）

1.8 MOS晶體客中的弱反型

1.9 晶（jīng）體管中（zhōng）的（de）襯底電流

附錄

a.1.1 有源器件參數列表

第二（èr）章 雙極型、MOS和（hé）BICMOS集成（chéng）電路技術

2.1 引言

2.2 集成電路（lù）產生的（de）基本過程（chéng）

2.3 高壓（yā）雙極型（xíng）集成電（diàn）路（lù）的製造

2.4 高級雙極（jí）型集成電路的製造

2.5 雙（shuāng）極型模擬（nǐ）集成電路中的放大器件

2.6 雙極型（xíng）集成電路中的無源元件

2.7 基本雙（shuāng）極（jí）型工藝的（de）改進（jìn）

2.8 MOS集成電路的（de）製（zhì）造

2.9 MOS集成電路中的有源器件

2.10 MOS工（gōng）藝中的無源器件

2.11 BICMOS技（jì）術

2.12 異質結雙極（jí）型晶體管

2.13 互連（lián）延遲

2.14 集成（chéng）電路（lù）製造過程的經濟意義

2.15 集成電路的封（fēng）裝因素

附錄

a.2.1 SPICE模型（xíng）參（cān）數

第三章 單級放大器（qì）與（yǔ）多級放大器

3.1 模擬（nǐ）電（diàn）路近（jìn）似（sì）分（fèn）析中器件模（mó）型的選（xuǎn）擇

3.2 放（fàng）大器的二端口（kǒu）模型

3.3 基本單管放大器

3.4 多級放大器

3.5 差（chà）分（fèn）對

a3.1 靜（jìng）態初步和高斯（sī）分布（bù）

第四 章鏡像電（diàn）流源、有源（yuán）負載（zǎi）和基準源

4.1 引言

4.2 鏡像（xiàng）電流源

4.3 有源負載

4.4 電壓和電流基準源

附（fù）錄（lù）

a.4.1 考慮鏡（jìng）像電流源的匹配

a.4.2 有源（yuán）負載差分（fèn）對的輸入失調電（diàn）壓

第五章（zhāng） 輸出級

5.1 引言

5.2 射隨器作為輸（shū）出級

5.3 源極跟隨器作為輸出級

5.4 乙類放大（dà）器推挽式輸出級（jí）

5.5 cMOS甲乙類輸出級（jí）

第六章 單（dān）端輸出的運算（suàn）放（fàng）大器

6.1 運算放大器的應用

6.2 從理想運算放（fàng）大器到實際運算放大器的（de）偏離

6.3 基（jī）本（běn）的二級MOS運算放大器

6.4 具（jù）有串接（jiē）放大器（qì）的二級MOS運算放大器

6.5 MOS管可伸縮（suō）式串接運算放大器

6.6 MOS管折疊串接運算放大器（qì）

6.7 MOS管（guǎn）有源串接運算放大器

6.8 雙極型運算（suàn）放大器

6.9 單（dān）片（piàn）集成運算放大器（qì）的設（shè）計中要考慮的問題（tí）

第七章 集成（chéng）電路的（de）頻率響應

7.1 引（yǐn）言

7.2 單級放大（dà）器

7.3 多級（jí）放大器的頻（pín）率響應

7.4 741運算放大器的（de）頻率響應分析（xī）

7.5 頻率響應和時間響應的（de）關（guān）係（xì）

第（dì）八章 反饋

8.1 理（lǐ）想反饋方程

8.2 增益靈敏度

8.3 負反饋對失（shī）真的影響

8.4 反饋結構（gòu）

8.5 實際組（zǔ）態及（jí）負載的影響

8.6 單級（jí）反饋

8.7 反饋電路（lù）用作（zuò）穩壓器

8.8 使用（yòng）反饋（kuì）比（bǐ）的反饋（kuì）電路分析

8.9 在反饋電路中（zhōng）建立輸入和輸出端口的模型（xíng）

第九章 反饋放大（dà）器的頻（pín）率響應和穩定（dìng）性

9.1 引言

9.2 反饋放大（dà）器中增益與（yǔ）帶寬的關係

9.3 不穩定性（xìng）和奈（nài）奎斯特判據

9.4 補償

9.5 根軌跡

9.6 擺率

附錄

a.9.1 反饋比參數術語分析

a.9.2 二次方程根（gēn）

第十章 非線性模擬（nǐ）電路（lù）

10.1 引（yǐn）言

10.2 精密整流

10.3 使用（yòng）雙極型晶體管的模擬乘法

10.4 鎖相環路（PLL）

10.5 非線性函數綜合

第十一章 集成電路（lù）的噪聲（shēng）

11.1 引言

11.2 噪聲源

11.3 集成電路元（yuán）件的噪聲模型

11.4 電路噪聲的計算

11.5 等效輸入噪聲源

11.6 在噪聲特性下的（de）反饋（kuì）

11.7 其他（tā）晶體管結（jié）構的噪聲特（tè）性

11.8 運算（suàn）放大（dà）器噪（zào）聲

11.9 噪聲帶寬（kuān）

11.10 噪聲（shēng）因數和噪聲溫度

第十（shí）二章 全差分運算放大（dà）器

12.1 引言

12.2 全差分放大器（qì）的性能

12.3 對（duì）稱差分（fèn）放大器的小（xiǎo）信號模型（xíng）

12.4 共模反饋

12.5 共模反饋電路

12.6 全差分運算放大器（qì）

12.7 不（bú）對（duì）稱的全差分電路

12.8 共模（mó）反饋環（huán）路的帶寬