Above1MBMemoryTest：設置開（kāi）機自檢時是否檢測1M以（yǐ）上內存。該選項已經（jīng）在新（xīn）的Bioses中（zhōng）被淘（táo）汰。由於內存（cún）價格暴（bào）跌，電腦（nǎo）用戶安裝（zhuāng）內存容量陡然增加，開（kāi）機時的（de）大容（róng）量內存自（zì）檢（jiǎn）時間太長，今後，即使一遍的內存檢測可能也會出現（xiàn）允許（xǔ）/禁止（zhǐ）開關。

AutoConfiguration：設置（zhì）為允許時，Bioses按（àn）照最佳（jiā）狀態設置。Bioses可以（yǐ）自動（dòng）設（shè）置內存定時，因此會禁止一些（xiē）對內存設置的修（xiū）改，建議選（xuǎn）擇允許方式。

MemoryTestTickSound：是否發出內存自檢（jiǎn）的滴嗒聲。如果您閑它煩（fán），可以關閉（bì）它們（men）。

MemoryParityErrorCheck：設置是否要（yào）設置（zhì）內存奇偶校驗。多在30線內存條（tiáo）使（shǐ）用時代，已（yǐ）經被淘汰。但把非奇偶校驗內存強行進行奇偶校驗設置（zhì）會使電腦無（wú）法開（kāi）機。

CacheMemoryController：是否使用高速緩存。不在流行的AwardBioses中使用。

ShadowRAMOption：設置（zhì）係統Bioses或（huò）顯示（shì）卡（kǎ）Bioses是否映射到常規內存（cún）中（zhōng）。可（kě）以加快速度，但也可能（néng）造（zào）成死機。

InternalCacheMemory：是否使用CPU內部緩存（cún）(一級緩存（cún）)。可以（yǐ）提高係統性能。

ExternalCacheMemory：是否使用CPU外部緩存(主板上的（de）二級緩存)。可以提高係統性能。AMD新的具有兩級（jí）緩存的CPU的出現，使主（zhǔ）板上的二級緩（huǎn）存退（tuì）居成三級緩存。

ConcurrentRefresh：直（zhí）譯是同時發生的刷新。設置CPU在對其它I/O操作時對內存同（tóng）時刷新，可以提（tí）高（gāo）係統性能。

DRAMReadWaitState：設置CPU從內存讀（dú）數據時的等待時鍾（zhōng）周（zhōu）期。在內存比CPU慢時可以（yǐ）設置更多的等待。

DRAMWriteWaitState：設置CPU向內存寫（xiě）數據時的等（děng）待時鍾周期。在內（nèi）存比CPU慢（màn）時可以設置更多的（de）等待。

SlowRefresh：對質量好的內存，保（bǎo）持數據的時間比（bǐ）較長，可以設（shè）置更長的時（shí）間（jiān）周期（qī），從（cóng）而提高係統性能（néng）。

ShadowCachecable：把映射到常規內（nèi）存的BiosesROM增加（jiā）高速（sù）緩存，使性（xìng）能更進一步。

PageMode：使內（nèi）存（cún）工作於PageMode或（huò）PageInterleaved模式（shì）。

RASTimeoutCounter：使PageMode或PageInterleaved模（mó）式的工作速度更快。因為有可能（néng）會超過內存RAS周期（qī），因此（cǐ）采用計數器來（lái）監視RAS周期，一（yī）旦（dàn）超過RAS周（zhōu）期（qī），則將周期自動複位為0。

MemoryRelocations：內存（cún）重新定位。即（jí）將384的上位內存(UpperMemoryBlock)數（shù）據轉儲到1MB以上（shàng）的（de）擴展內存中。

MemoryHole：有（yǒu）人稱（chēng）作內存孔洞。把內存地址（zhǐ）15MB-16MB的區域留給一些特殊的（de）ISA擴展卡（kǎ）使用，可以加（jiā）速該卡（kǎ）工作速度或避（bì）免衝突。一般被設置成禁止，除（chú）非ISA擴展卡有專門的說（shuō）明。

DRMATimingSetting：快頁內存或EDO內存（cún）速度（dù）設置（zhì），通常是（shì）60ns或（huò）70ns選擇，對10ns或更快的SDRAM內（nèi）存無效。

FastMAtoRASDelay：設置（zhì）內存地址(MemoryAddress)到內存行地址觸（chù）發信號(RAS)之間的（de）延（yán）遲時間。

DRAMWriteBrustTiming：CPU把數據（jù）寫如高速緩存後，再寫如內存的延遲時間。

FastRASToCASDelay：行地址觸發信號到（dào）列（liè）地址觸發信號之間的延遲時間（jiān）。通常是（shì）RAS#下降到CAS#下降之（zhī）間的時間。

DRAMLead-OffTiming：CPU讀/寫內存（cún）前的時間。

DRAMSpeculativeRead：設置成（chéng）允（yǔn）許時，讀內存的時間比正常時間提前一個時間（jiān）周期，可（kě）以（yǐ）提（tí）高係統性能。

DRAMDataIntegrityMode：選（xuǎn）擇內存校驗方（fāng）式是Parity或ECC。

RefreshRASAssertion：設置內存的行地址刷新時間周期，對質量（liàng）好（hǎo）的內存可以延遲刷新，從而提（tí）高係統性能。

RASRechargePeriod：內存行地址信（xìn）號預先充電所需要的時間（jiān）。

FastEDOPathSelect：設置選擇對EDO內存讀（dú）/寫的（de）快速途徑，可以提高係統（tǒng）性能（néng）。

SDRAMRASLatency：設置SDRAM內存的行地址（zhǐ）觸發到列地址觸（chù）發的時間延遲。

SDRAMRASTiming：設置係統對（duì）SDRAM內（nèi）存（cún）的行地址觸發（fā）時（shí）間，也即（jí）刷新時間。

PeerConcurrency：為提高係統並行，使（shǐ）CPU對高速緩存或內存或PCI設備，或PCI的主控信（xìn）號（hào）對（duì）PCI外圍設備等等操作同時進行（háng）。係統智能越高（gāo），同（tóng）CPU並行的（de）操作越多（duō），性能（néng）提高越多。