從外觀區別(bié)DDR和DDR2,DDR3
防呆缺口 DDR內存單麵金手指針腳數(shù)量(liàng)為(wéi)92個(gè)(雙麵184個),缺口左邊為52個針腳(jiǎo),製品右邊為40個針腳(jiǎo);
DDR2內存單麵金手指120個(gè)(雙麵240個),缺(quē)口(kǒu)左邊為64個針腳(jiǎo),缺口右邊為56個針腳;
DDR3內(nèi)存單麵金手指也是(shì)120個(雙麵240個),缺口(kǒu)左(zuǒ)邊為72個針(zhēn)腳,缺口(kǒu)右邊為48個針腳.
2、DDR內存的顆粒為長方形
DDR2和DDR3內(nèi)存的顆(kē)粒為正方形,而且體(tǐ)積大(dà)約隻有(yǒu)DDR內存(cún)顆粒的三分(fèn)之一
3、使用(yòng)電壓不同
DDR2的電壓1.8V
DDR3的(de)電壓1.5V
參(cān)數(shù)不同(tóng)之處(chù)
電壓 VDD/VDDQ |
2.5V/2.5V |
1.8V/1.8V(±0.1) |
1.5V/1.5V(±0.075) |
I/O接口 |
SSTL_25 |
SSTL_18 |
SSTL_15 |
數據傳輸率(lǜ)(Mbps) |
200~400 |
400~800 |
800~2000 |
容量標(biāo)準 |
64M~1G |
256M~4G |
512M~8G |
Memory Latency(ns) |
15~20 |
10~20 |
10~15 |
CL值 |
1.5/2/2.5/3 |
3/4/5/6 |
5/6/7/8 |
預取設計(Bit) |
2 |
4 |
8 |
邏(luó)輯Bank數量 |
2/4 |
4/8 |
8/16 |
突發長(zhǎng)度 |
2/4/8 |
4/8 |
8 |
封裝 |
TSOP |
FBGA |
FBGA |
引腳標準 |
184Pin |
240Pin |
240Pin |
關鍵(jiàn)詞:DDR,DDR2,DDR3
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