CMOS中（zhōng）關於內存的（de）設置比較多，但不（bú）少選項是比較專業的，因此（cǐ），如果設置（zhì）後出（chū）現問題，請（qǐng）選擇“LOAD Bioses DEFAULTS”，恢複可靠的設置參數。下麵逐條說明相關內存設置。 

　　Above 1MB Memory Test：設置開（kāi）機自檢時是（shì）否檢測1M以上內存（cún）。該選項已經在新（xīn）的Bioses中被淘（táo）汰。由於內存價格暴跌，電（diàn）腦用戶安裝（zhuāng）內存（cún）容（róng）量陡然（rán）增加，開機時的（de）大（dà）容量內存自檢時（shí）間太長，今後，即使一遍的內存檢測可能也（yě）會（huì）出現允許/禁止開（kāi）關。

　　Auto Configuration：設置為允（yǔn）許時，Bioses按照最佳狀態設置。Bioses可以自動設置內存定時，因此會禁止一些對內存設置（zhì）的修改，建議選擇允許方式。

　　Memory Test Tick Sound：是否發（fā）出內存自檢的滴嗒（dā）聲。如（rú）果您（nín）閑它（tā）煩，可以關閉（bì）它們。 

　　Memory Parity Error Check：設置是否要設置內存奇（qí）偶校驗。多在30線內（nèi）存條使用時（shí）代，已經被淘（táo）汰。但把非奇偶校驗內存強行進行奇偶校驗設置（zhì）會使電腦無（wú）法開機。

 　　Cache Memory Controller：是否使用高速緩存（cún）。不在流行的Award Bioses中（zhōng）使用。

　　Shadow RAM Option：設置係統Bioses或顯示卡Bioses是否映（yìng）射到常規內存中。可（kě）以加快速度，但也可能造（zào）成（chéng）死機。

　　Internal Cache Memory：是否使用CPU內（nèi）部緩存（一級緩存）。可以提高係統性能。

　　External Cache Memory：是否（fǒu）使用CPU外部緩存（主板上的（de）二級（jí）緩存（cún））。可（kě）以提高係統（tǒng）性能。AMD新的（de）具（jù）有兩級緩存的CPU的出現，使（shǐ）主板上的二級緩存退居（jū）成三級緩存。

　　Concurrent Refresh：直譯是同時發生的刷新（xīn）。設置（zhì）CPU在對（duì）其它I/O操作時對內存（cún）同時刷新（xīn），可（kě）以提（tí）高係統性能。

　　DRAM Read Wait State：設置CPU從內（nèi）存讀數（shù）據時的等（děng）待時鍾周期。在內存比CPU慢時可（kě）以設（shè）置（zhì）更（gèng）多（duō）的等待（dài）。

　　DRAM Write Wait State：設置CPU向（xiàng）內存寫數據時的等待時鍾（zhōng）周期。在（zài）內存比CPU慢（màn）時可以設置更（gèng）多的（de）等待。

　　Slow Refresh：對質量（liàng）好的內存，保持（chí）數（shù）據的時間比（bǐ）較長，可（kě）以設置更長的時間周期（qī），從而提高係統（tǒng）性能。

　　Shadow Cachecable：把映射到常規（guī）內存的Bioses ROM增加高速緩存，使性能更進一步（bù）。

　　Page Mode：使內存工（gōng）作於Page Mode或Page Interleaved模式。

　　RAS Timeout Counter：使Page Mode或Page Interleaved模（mó）式的工作速度更快。因（yīn）為有可能會超過內存（cún）RAS周（zhōu）期，因（yīn）此采用計（jì）數器來監視RAS周期，一旦超（chāo）過（guò）RAS周期，則將（jiāng）周期 自動複位為0。

　　Memory Relocations：內存重新定位（wèi）。即將384的上位（wèi）內存（cún）（Upper Memory Block）數（shù）據轉（zhuǎn）儲（chǔ）到1MB以上的擴展內（nèi）存中。

　　Memory Hole：有人稱作內存孔洞。把內（nèi）存地址15MB-16MB的區域留給一些特殊的ISA擴（kuò）展卡使用，可以（yǐ）加速該卡（kǎ）工作速度或避免衝突。一（yī）般被設置（zhì）成（chéng）禁止（zhǐ），除（chú）非ISA擴展卡（kǎ）有專門（mén）的（de）說明。

　　DRMA Timing Setting：快頁內存或EDO內存（cún）速度設置，通常是60ns或70ns選擇，對10ns或（huò）更快的SDRAM內存（cún）無效。

　　Fast MA to RAS Delay：設（shè）置內存地址（Memory Address）到內（nèi）存行地址觸發（fā）信號（RAS）之間的延遲時間。

　　DRAM Write Brust Timing：CPU把數據寫如高速緩存後，再（zài）寫如內存的延遲時間。

　　Fast RAS To CAS Delay：行地址觸（chù）發信號到列地址觸發信號之間的延遲時間（jiān）。通常（cháng）是RAS#下（xià）降到CAS#下降之間的時間（jiān）。

　　DRAM Lead-Off Timing：CPU讀/寫（xiě）內存前的時間。 

　　DRAM Speculative Read：設置成（chéng）允許時（shí），讀內存的（de）時間比正常時（shí）間提前一個時（shí）間周期（qī），可以（yǐ）提高係統性能。 

　　DRAM Data Integrity Mode：選擇內存校驗（yàn）方式是Parity或ECC。

　　Refresh RAS Assertion：設置（zhì）內（nèi）存的行地（dì）址刷新（xīn）時間周期，對質量好的內（nèi）存可（kě）以（yǐ）延遲刷新，從而提高（gāo）係統性（xìng）能。

　　RAS Recharge Period：內存行地址信（xìn）號（hào）預先充電所需要的時（shí）間。

　　Fast EDO Path Select：設置選擇對（duì）EDO內存讀/寫（xiě）的快速途徑，可以提高（gāo）係統（tǒng）性（xìng）能。

　　SDRAM RAS Latency：設（shè）置（zhì）SDRAM內存的行（háng）地（dì）址觸（chù）發到列地址觸發的（de）時間延遲。

　　SDRAM RAS Timing：設置係統對SDRAM內存的（de）行地（dì）址觸發時間，也即刷（shuā）新時間。 

　　Peer Concurrency：為（wéi）提高係統並（bìng）行，使CPU對高速緩（huǎn）存或內存或（huò）PCI設備，或PCI的主控信號對（duì）PCI外圍設備等等操作（zuò）同時進行。係（xì）統（tǒng）智能越高，同CPU並行的操作越（yuè）多，性能（néng）提高越多。